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歴史

History of
Toshiba
Memory
Corporation

History

「メモリ技術」で時代を塗り替え、
世界を劇的に進化させつづけています。

AIやIoTの普及を支える半導体、「フラッシュメモリ」でシェア世界第2位(※)。自社発の技術で、グローバルな事業を展開しています。私たちは、技術で世界を変えてきた技術者集団です。
※2017年12月1日時点 東芝メモリ調べ

1987

1987年
世界初のメモリ技術を発明。
その名は、『NAND型フラッシュメモリ』。

NAND型フラッシュメモリのイメージ画像

デジタル情報の記憶デバイスには、大別して4点の特性が求められます。それは、【高速な読み書き】、【不揮発性(電源を切っても記憶が消えない)】、【低消費電力】、【低コスト】です。それらの要求により、従来の不揮発性メモリの常識を超える大容量で低価格の実現に、突破口を見出したのは1987年のこと、自社の技術者が発明したNAND型フラッシュメモリによるものでした。ここから多種多様なデジタル機器の進化が始まります。

NAND型フラッシュメモリのイメージ画像

1990

1990年代
世界初、NAND型フラッシュメモリを製品化。
「情報を気軽に持ち運ぶ」という、新時代をつくる。

情報を気軽に持ち運ぶイメージ画像

1992年には、当時の半導体フラッシュメモリ工場として世界最大級の敷地面積を誇る四日市工場を設立。当時における次世代メモリ製品の生産を次々と進めていきました。その一方NAND型フラッシュメモリは、1991年に世界で初めて製品化。デジタルカメラ、シリコンオーディオプレーヤーに応用されるなど、デジタル家電の基幹部品として国内産業の喚起に大きく貢献。人々の生活も大きく変えるきっかけとなりました。

情報を気軽に持ち運ぶイメージ画像

2000

2000年代
苦境の中の決断を経て、世界的シェア拡大はじまる。

世界的シェア拡大のイメージ画像

私たちは、1990年代までDRAM事業を主軸としていました。そんな中、汎用コンピュータからパーソナル・コンピュータへと時代は動き、市場ニーズが激変します。そこで私たちはDRAMから撤退し、大きな可能性を秘めたNAND型フラッシュメモリを中心とする高付加価値のメモリ製品に特化する、という決断を下しました。この先見にもとづく選択が、現在の世界的シェアの礎となっていきます。

世界的シェア拡大のイメージ画像

2010

2010年代
世界初の技術を積極開発、次世代メモリの量産化へ。

次世代メモリの量産化のイメージ画像

時代はIoT、クラウドコンピューティング、スマートグリッド(次世代送電網)化へ。世界の国々で生成、蓄積される情報量は増加の一途です。それは、NAND型フラッシュメモリを利用したストレージ需要の飛躍的な拡大を意味します。私たちは、業界に先駆けフラッシュメモリを2次元から3次元へ積層構造化するパラダイムシフトを推進。2007年に世界で初めて公表した3次元フラッシュメモリ『BiCS FLASH™』を量産化しました。以降、さらなる超積層化、チップ縮小技術をはじめとする3D技術の進化を加速させています。

次世代メモリの量産化のイメージ画像

2018

2018年〜
世界をリードする技術者とともに東芝から独立。
そして、2045年、シンギュラリティに向かって。

2045年、シンギュラリティに向うイメージ画像

2018年6月1日。私たちは、株式会社東芝より独立しました。世界をリードする技術を受け継ぎ、経営陣のみならず技術者自身で会社をつくっていく。新たなスタート地点に立つ私たちは、そんな会社になることを目指しています。
今後、IoTやAIの更なる普及に伴い、2020年には全世界のデジタルデータ量が約44ゼタバイトにまで激増。さらに2045年にはAIが人間の能力を超えるシンギュラリティ時代が到来すると予測されています。このような情報革命には私たちのメモリが必要不可欠であるため、ますます世界から求められる存在を目指します。

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